סמסונג מייצרת המוני את ה-DDR5 DRAM הקטן ביותר בתעשייה, הודיעה החברה ביום שלישי.
ה-DRAM החדש של 14nm EUV DDR5 הוא 14 ננומטר בלבד והוא כולל חמש שכבות של טכנולוגיית אולטרה סגול קיצונית (EUV). הוא יכול להגיע למהירויות של עד 7.2 גיגה-ביט לשנייה, שזה יותר מפי שניים מהמהירות של DDR4. סמסונג טוענת גם כי טכנולוגיית ה-EUV החדשה שלה מעניקה ל-DDR5 DRAM את צפיפות הסיביות הגבוהה ביותר, תוך הגדלת הפרודוקטיביות ב-20% והפחתת צריכת החשמל ב-20%.
EUV הופך חשוב יותר ויותר מכיוון שה-DRAM ממשיך להתכווץ בגודלו. זה עוזר לשפר את דיוק הדפוס, הדרוש לביצועים גבוהים יותר ותשואות גדולות יותר, אמרה סמסונג.המזעור הקיצוני של ה-DDR5 DRAM 14nm לא היה אפשרי לפני השימוש בשיטת הייצור הרגילה של ארגון פלואוריד (ArF), והחברה מקווה שהטכנולוגיה החדשה שלה תעזור לתת מענה לצורך בביצועים ובקיבולת גדולים יותר בתחומים כמו 5G ובינה מלאכותית.
בהמשך, סמסונג אמרה שהיא רוצה ליצור שבב 24Gb 14nm DRAM כדי לעזור לעמוד בדרישות של מערכות IT גלובליות. היא גם מתכננת להרחיב את סל ה-14nm DDR5 שלה לתמיכה במרכזי נתונים, מחשבי-על ויישומי שרתים ארגוניים.
